Основы транзисторной электроники
Год издания: 1974
Автор: Агаханян Т.М.
Издательство: Энергия
Язык: Русский
Формат: DjVu
Качество: Отсканированные страницы
Количество страниц: 256
Описание: Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, статические, высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств.
Книга предназначена для аспирантов и студентов, специализирующихся по радиоэлектронике, автоматике, вычислительной технике. Она будет представлять интерес и для инженеров, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.
Оглавление
Предисловие (3).
Глава первая. Полупроводники и их электрофизические свойства (5).
Глава вторая. Электронные процессы в полупроводниковых кристаллах (18).
Глава третья. Электронно-дырочный переход (45).
Глава четвертая. Биполярные транзисторы (91).
Глава пятая. Эквивалентные схемы и параметры биполярных транзисторов (146).
Глава шестая. Полевые транзисторы (208).
Основные обозначения (247).
Список литературы (251).
Доп. информация: Скан: AAW, обработка, формат Djv: pohorsky
Опубликовано группой
